岗位职责：
1.进行碳化硅MOSFET, IGBT, SBD等功率半导体的器件及工艺仿真,版图设计和工艺流程制定；
2.器件封装，测试，特性及失效分析；
3.工艺和设计方案优化，提高产品性能及良率；

岗位要求：
1.本科及以上学历，具备半导体物理和半导体器件物理背景，熟悉MOSFET，IGBT, SBD等功率半导体的产品开发流程；
2.具备1年以上半导体器件仿真经验；
3.具有在芯片/器件企业中仿真设计器件经验者优先，有Synopsys或Silvaco工艺仿真软件使用经验者优先；
4.具有Wafer Fab实际经验和MOSFET，IGBT, SBD等功率半导体产品的实际开发/生产经验；
5.熟悉版图设计(Layout Design)和器件仿真(TCAD Simulation)。

福利待遇：

1、提供行业内有竞争力的薪酬待遇，有能力者薪酬不设上限，同时提供签字费，过节费，项目奖，季度奖，年终奖，期权奖励，薪资优厚；

工作地点：杭州或北京或深圳