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产品系列

core product

SiC MOSFET

公司设计并生产的SiC 特种MOSFET主要考虑高温能力更强、极致缩小寄生电容、抗辐照能力改善等特种性能，主要应用于公司自身的特种电源系统或对外出售中。以高温能力为例，常规SiC MOSFET的最高结温为175℃，为了将MOS应用到200℃以上的电源系统中，公司至少解决了以下几个SIC MOS在高温情况下的关键问题：1、高温情况下的栅氧漏电流大幅增加，2、高温下非晶态的隔离氧化层软化问题，3、高温下MOS阈值电压的大幅下降问题，4、高温下阻断电压大幅下降问题，5、高温下漂移区电阻增加、沟道电阻降低等。为了解决这些问题，公司在栅氧层厚度、低K值的隔离介质层材料、P区离子注入浓度、源极金属化、封装等层面下了很大的功夫。公司MOS的结温大幅提升，同时在极高温情况下的温漂更小。目前，公司的碳化硅特种芯片也接受定制。

Part Number	Status	Blocking Voltage	Package	Configuration	ID（A）	VGS（V）	RDS(ON) (mΩ) typ	RDS(ON) (mΩ) max	VGSth（V）	Ciss（pF）	Coss（pF）	Crss（pF）	Qg*（nC）	Qgd（nC）	Trr（ns）
PXMF4565T3	Active2	650	TO247-3	single	45	25	58	72	2	1228	148	24	94	44	22
PXMF10065T3	Active2	650	TO247-3	single	100	25	28	36	2	2310	259	45	138	68	69
PXMF36120T3	Active2	1200	TO247-3	single	36	25	70	85	1.5	1326	67	11	90	40	33
PXMF60120T4	Active2	1200	TO247-4	single	60	25	40	52	1.5
PXMF80120T4	Active2	1200	TO247-4	single	80	25	27	35	1.5	3390	169	16	180	23	44
PXMF06170T3	Active2	1700	TO247-3	single	6	25	380	480	2	319	19	5	33	24	67

Sic 特种 MOSFET